芯片互联
芯片互联是指将芯片内部的不同功能单元、晶体管、逻辑门等通过特定的技术手段相互连接，以实现信息的传递和处理。以下是对芯片互联的详细解释，包括其主要技术、特点和优势：
一、芯片互联主要技术
- 多层金属互连技术：这是现代集成电路设计中的关键技术，它允许不同层之间通过维亚孔（via holes）精确互联，极大提高了芯片的功能密度和处理速度。通过光刻和蚀刻等工艺在硅基板上形成金属线路和绝缘层，再利用维亚孔连接不同的金属线路，形成三维的电信号传递网络。
- 硅通孔（TSV）技术：这是一种垂直互连通路（通孔），完全穿过硅芯片或晶圆，以实现硅芯片的堆叠。TSV技术通过在芯片上钻孔并填充金属等导电材料以容纳电极，实现垂直连接芯片，从而解决空间受限的问题，提高晶体管的布局密度。
- Chiplet技术：这是一种将芯片按用途（例如控制器或高速存储器）划分并制造为单独的晶圆，然后在封装过程中重新连接的技术。Chiplet技术可以提高生产效率，降低制造成本，并使得芯片设计更加灵活。
- 引线键合技术：这是一种将器件表面的焊接区域与引线框架上的I/O引线端进行电连接的传统技术。通过加热芯片、用打火杆将铝材料制作的引线烧成球状，再用砍刀施加压力压到芯片压点上，完成焊点。引线键合技术因其键合点尺寸小、回绕高度低等优点而被广泛应用。
二、芯片互联特点和优势
- 提高功能密度：多层金属互连技术和TSV技术允许在有限的芯片空间内集成更多的晶体管，提高功能密度。
- 提高处理速度：通过优化连接线路和减少电气路径长度，可以降低信号传输延迟，提高处理速度。
- 降低制造成本：Chiplet技术通过将芯片划分为多个小模块进行单独制造和测试，可以降低制造成本并提高生产效率。
- 提高可靠性：由于每个模块都可以单独测试和验证，因此可以更容易地发现和修复潜在的问题，提高系统的可靠性。
三、芯片互联总结
芯片互联是集成电路设计中的关键环节，它决定了芯片的性能、功能和可靠性。通过采用多层金属互连技术、TSV技术、Chiplet技术和引线键合技术等手段，可以实现高效、可靠的芯片互联，推动集成电路技术的不断发展。